Вопросник - Компьютеры, Интернет. Открытые вопросы и ответы.

Samsung выпустила встраиваемую флэш-память объемом 512 ГБ для смартфонов

Samsung выпустила встраиваемую флэш-память объемом 512 ГБ для смартфонов Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых в индустрии встраиваемых модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) емкостью 512 ГБ для смартфонов и планшетов. Они построены на базе новейших микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит.Производитель подчеркивает, что новые модули флэш-памяти eUFS емкостью 512 ГБ, состоящие из восьми микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит и контроллера, по размерам корпуса идентичны предшественникам емкостью 256 ГБ (там использовали микросхемы 48-слойной флэш-памяти плотностью 256 Гбит), выпушенным в феврале 2016 года. Таким образом, менее чем за два года инженерам Samsung удалось вдвое повысить плотность хранения данных.По словам производителя, более емкие флэш-накопители предоставят пользователям еще больше возможностей для хранения и работы с высококачественным контентом. Например, флагманский смартфон с накопителем такого объема способен вместить 130 видеороликов длительностью около 10 минут каждый, снятых в разрешении 3840х2160 пикселей. Это в десять раз больше, чем способен вместить современный смартфон с 64 ГБ флэш-памяти.Что касается скоростных показателей и производительности, скорость последовательного чтения в новых модулях Samsung достигает 860 МБ/с, последовательной записи — 255 МБ/с. Хранящийся в встроенной памяти смартфона видеоролик разрешением 1920х1080 пикселей размером 5 ГБ можно будет скопировать за 6 секунд – в восемь раз быстрее, чем при копировании с карты памяти microSD. Максимальная производительность на операциях с произвольным доступом в режиме чтения заявлена равной 42 000 IOPS, в режиме записи — 40 000 IOPS. Это примерно в 400 раз выше, чем у карт памяти microSD (около 100 IOPS).Samsung планирует наращивать темпы выпуска новой 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит в условиях расширения производства микросхем прошлого поколения плотностью 256 Гбит.Когда на рынке появятся первые смартфоны, оснащенные 512 ГБ флэш-памяти, пока данных нет.Источник: Samsung
Stfw.Ru
Universal, embedded, памяти, Flash, Storage, планшетов, смартфонов, емкостью, модулей, встраиваемых, объявила, Electronics, Samsung, начале, серийного, индустрии, первых, выпуска, Компания

1Замминистра финансов России Сергей Сторчак заявил, что Россия отказалась участвовать в докапитализации Всемирного банка, поскольку не согласна с новыми принципами его кредитной политики, которые скоро приведут к сворачиванию кредитной поддержки крупнейших и самых надежных заемщиков банка - Индии и Китая. Об этом информирует РИА Новости.Сторчак напомнил, что Всемирный банк отказался от финансирования проектов в России."В этих условиях как мы можем агитировать руководство страны, идти в парламент с бюджетом или с ратификацией, что мы присоединяемся к пополнению капитала?" - сказал Сторчак.Акционеры группы Всемирного банка 21 апреля приняли решение об увеличении капитала на 13 млрд долларов. Из них 7,5 млрд предназначаются Международному банку реконструкции и развития (IBRD), 5,5 млрд - Международной финансовой корпорации (IFC).
http://stfw.ru


Редакция:

Благодарим за интерес к рубрике Вопросник - рекомендуем подписаться на портал Stfw.ru.

Сводка событий