Информационные технологииТехнологииПоиск

Samsung выпустила встраиваемую флэш-память объемом 512 ГБ для смартфонов

Samsung выпустила встраиваемую флэш-память объемом 512 ГБ для смартфонов Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых в индустрии встраиваемых модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) емкостью 512 ГБ для смартфонов и планшетов. Они построены на базе новейших микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит.Производитель подчеркивает, что новые модули флэш-памяти eUFS емкостью 512 ГБ, состоящие из восьми микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит и контроллера, по размерам корпуса идентичны предшественникам емкостью 256 ГБ (там использовали микросхемы 48-слойной флэш-памяти плотностью 256 Гбит), выпушенным в феврале 2016 года. Таким образом, менее чем за два года инженерам Samsung удалось вдвое повысить плотность хранения данных.По словам производителя, более емкие флэш-накопители предоставят пользователям еще больше возможностей для хранения и работы с высококачественным контентом. Например, флагманский смартфон с накопителем такого объема способен вместить 130 видеороликов длительностью около 10 минут каждый, снятых в разрешении 3840х2160 пикселей. Это в десять раз больше, чем способен вместить современный смартфон с 64 ГБ флэш-памяти.Что касается скоростных показателей и производительности, скорость последовательного чтения в новых модулях Samsung достигает 860 МБ/с, последовательной записи — 255 МБ/с. Хранящийся в встроенной памяти смартфона видеоролик разрешением 1920х1080 пикселей размером 5 ГБ можно будет скопировать за 6 секунд – в восемь раз быстрее, чем при копировании с карты памяти microSD. Максимальная производительность на операциях с произвольным доступом в режиме чтения заявлена равной 42 000 IOPS, в режиме записи — 40 000 IOPS. Это примерно в 400 раз выше, чем у карт памяти microSD (около 100 IOPS).Samsung планирует наращивать темпы выпуска новой 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит в условиях расширения производства микросхем прошлого поколения плотностью 256 Гбит.Когда на рынке появятся первые смартфоны, оснащенные 512 ГБ флэш-памяти, пока данных нет.Источник: Samsung
Stfw.Ru
Читать ✆ в Telegram
* При комментировании просим соблюдать законы Российской Федерации.

Появились сведения о твердотельном накопителе Samsung 850 емкостью 120 ГБ


Сегодня:

03:06 Классовая социология тбилисского майдана: как Россия раскалывает Грузию.


03:06 Врио мурманского губернатора после прямой линии Путина уволил заместителя


03:06 В Госдуме опровергли информацию о сокращении бюджетных мест в вузах


03:06 Бомба для евро: зачем Италия введет параллельную валюту


03:06 ( раскололи?)ПЦУ лишила Филарета канонических прав


03:06 "Неотвратимая решимость" США нанесли киберудар по иранским ракетным системам


03:06 "Запас хода 1000 км, заправка за 3 минуты, расход бензина 0 литров" - первый китайский водородомобиль Grove Obsidian


03:06 В ночь на 24 июня в Санкт-Петербурге состоялся праздник выпускников "Алые паруса". Более 1,4 млн человек приняли участие в торжествах.


03:06 Xiaomi Mi Band 4 – самый продаваемый спортивный браслет компании


14:06 Аналитик считает, что Surface с двумя экранами получит поддержку Android приложений


14:06 Пуск "Хризантемы-В" с новейшего Ми-28НМ: кадры первого применения самой мощной противотанковой ракеты в России


14:06 МИД Японии опроверг сообщения о визите Зеленского в Осаку, где пройдет саммит G20 (Ранее Павел Климкин выступил с утверждением, что Зеленский посетит Осаку)


Компьютеры, Интернет. Открытые вопросы и ответы.